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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Comparez
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Note globale
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Note globale
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Raisons de considérer
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
23
Autour de -28% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21.2
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.7
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
23
18
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
21.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
17.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2269
3663
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
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