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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Comparez
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Kingston HX318C10FK/4 4GB
Note globale
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Note globale
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
69
Autour de 67% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.4
6.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.0
4.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
14900
10600
Autour de 1.41 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
23
69
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
6.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
4.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
14900
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-10-9-28 / 1866 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2269
1116
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB Comparaison des RAM
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
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Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
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