RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Comparez
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Note globale
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
20.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,001.7
18.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
45
Autour de -150% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
18
Vitesse de lecture, GB/s
4,776.5
20.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,001.7
18.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
669
3529
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link