RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Confronto
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Punteggio complessivo
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Punteggio complessivo
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
20.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,001.7
18.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
18
45
Intorno -150% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
18
Velocità di lettura, GB/s
4,776.5
20.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,001.7
18.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
669
3529
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link