RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Porównaj
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,001.7
18.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
45
Wokół strony -150% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
18
Prędkość odczytu, GB/s
4,776.5
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,001.7
18.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
669
3529
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link