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Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
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Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Pontuação geral
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
20.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,001.7
18.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
45
Por volta de -150% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
18
Velocidade de leitura, GB/s
4,776.5
20.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,001.7
18.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
669
3529
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
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