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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Puntuación global
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
66
En 65% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
66
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2269
2063
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
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Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
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