RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Compara
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
24
En 4% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
24
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2269
2445
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link