RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Compara
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
27
En 15% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
27
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2269
2426
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link