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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
27
左右 15% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.8
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
27
读取速度,GB/s
13.4
14.8
写入速度,GB/s
8.0
11.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
2426
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
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G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
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