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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Compara
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Puntuación global
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
23
En -5% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.1
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.9
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
22
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
13.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2269
3091
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
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G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
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