RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Confronto
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
23
Intorno -5% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.1
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.9
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
23
22
Velocità di lettura, GB/s
13.4
18.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
13.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2269
3091
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 99U5428-049.A00LF 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Smart Modular SH564568FH8NZPHSCR 2GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link