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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Confronto
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Punteggio complessivo
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Differenze
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Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
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Motivi da considerare
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
29
Intorno -12% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.3
10.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.2
7.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
8500
Intorno 2.26 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
26
Velocità di lettura, GB/s
10.5
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
7.1
8.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
19200
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1425
2633
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Confronto tra le RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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