RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Comparez
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Note globale
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Note globale
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
29
Autour de -12% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.3
10.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.2
7.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
8500
Autour de 2.26 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
26
Vitesse de lecture, GB/s
10.5
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
7.1
8.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
19200
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1425
2633
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Comparaison des RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link