RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Compara
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Puntuación global
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
30
En 23% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.5
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
30
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
15.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2269
3694
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 99U5403-002.A00G 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link