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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Compara
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
23
En -28% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.9
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.0
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
18
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
20.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
17.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2269
3668
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
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