RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Compara
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Puntuación global
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
39
En 41% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
39
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2269
2600
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingmax Semiconductor FSGG45F-D8KMB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link