RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Porównaj
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
39
Wokół strony 41% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
39
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2269
2600
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link