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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Compara
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
29
En 21% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.8
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
29
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2269
2690
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 991586 2GB
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
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