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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Compara
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
30
En 23% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
30
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2269
3466
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
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