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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Compara
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.1
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
23
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
14.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2269
2388
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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