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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Comparez
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Note globale
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Note globale
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Différences
Spécifications
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Raisons de considérer
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Raisons de considérer
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.1
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.2
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
23
23
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
14.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
8.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2269
2388
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
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