RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Compara
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
42
En -45% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.4
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
29
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
19.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
15.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2150
3714
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link