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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Puntuación global
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Puntuación global
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ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    13.2 left arrow 11.1
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.4 left arrow 6.1
    Valor medio en las pruebas
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB Razones a tener en cuenta
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    30 left arrow 37
    En -23% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 10600
    En 1.6 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    37 left arrow 30
  • Velocidad de lectura, GB/s
    13.2 left arrow 11.1
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.4 left arrow 6.1
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2143 left arrow 1254

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM

Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB

ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB Comparaciones de la memoria RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
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ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
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Memoria RAM
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Memoria RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Memoria RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Memoria RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
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Memoria RAM
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
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Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Memoria RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Memoria RAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
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Memoria RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
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Memoria RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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