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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Compara
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.2
10.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
8.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
37
En -6% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
35
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
10.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
1998
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
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