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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Compara
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
39
En 5% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.5
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.0
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
39
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
15.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3269
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
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Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
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