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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
37
En -6% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.5
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
35
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2460
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
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