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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Compara
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
37
En -19% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.1
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.6
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
31
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
15.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3553
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
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Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6P1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
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