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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
37
En -61% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.3
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.9
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
23
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
21.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
16.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
4151
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
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