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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Compara
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
8.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
37
En -68% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
22
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2340
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Avexir Technologies Corporation DDR3-1600 CL10 8GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
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