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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
37
En -54% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
24
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2744
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston X5H5PW-MIE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
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