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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
37
En -16% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
32
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
10.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2895
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
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