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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Compara
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
37
En -42% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.9
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.1
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
26
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
11.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2855
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
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G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
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