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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Compara
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
37
En -3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.4
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.1
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
36
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
13.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
11.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2467
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Kingston XN205T-HYD2 16GB
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
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Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Mushkin 994083 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
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Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
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