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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
37
En -12% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
33
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3166
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
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