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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
37
En -28% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
29
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3096
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
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