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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Compara
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
37
En -32% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.0
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
28
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
14.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3420
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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