RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Compara
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
37
En -54% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.3
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.6
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
24
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
20.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
16.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3987
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
AMD R5316G1609U2K 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link