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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Compara
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
37
En -28% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.7
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.8
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
29
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
9.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2407
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
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