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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
37
En -37% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
27
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3152
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
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