RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Compara
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
37
En -54% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.1
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
24
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
11.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2631
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Kingston KHX1600C10D3L/8G 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link