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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
37
En -16% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.8
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
32
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2991
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
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