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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Compara
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.2
10.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
37
En -9% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
34
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
10.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2364
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
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