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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
119
En 69% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.2
1.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
2.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
119
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
1.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
2.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
447
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
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