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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Compara
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
37
En -32% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
28
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2487
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
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