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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
37
En -19% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.5
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
31
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
19.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3391
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
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