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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Compara
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
37
En -6% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.8
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
35
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
15.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3415
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
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