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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
37
En -54% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
24
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2704
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
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