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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Compara
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
37
En -12% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.1
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
33
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3286
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
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