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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
37
En -6% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
35
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2841
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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